זיכרון פלאש הוא סוג של טכנולוגיית חצי מעבר וזיכרון לתכנות חשמלי. ניתן להשתמש באותו מושג במעגלים אלקטרוניים לציון פתרונות מלאים טכנולוגית. בחיי היומיום, מושג זה קבוע למעמד רחב של התקני מצב מוצק לאחסון מידע.
נחוץ
כונן הבזק מסוג USB, מחשב עם חיבור לאינטרנט
הוראות
שלב 1
עקרון הפעולה של טכנולוגיה זו מבוסס על שינויים ורישומים באזורים מבודדים של מטען חשמלי במבנה מוליך למחצה. שינוי מטען כזה, כלומר הקלטתו ומחיקתו, מתרחש בעזרת יישום הממוקם בין המקור לשער הפוטנציאל הגדול יותר שלו. לפיכך, נוצר חוזק שדה חשמלי מספיק בין הטרנזיסטור לכיס בשדה דיאלקטרי דק. כך נוצר אפקט המנהרה.
שלב 2
משאבי הזיכרון מבוססים על שינוי טעינה. לפעמים זה קשור להשפעה המצטברת של תופעות בלתי הפיכות במבנה שלה. לכן, מספר הערכים מוגבל עבור תא הפלאש. נתון זה עבור MLC הוא בדרך כלל 10 אלף יחידות, ועבור SLC - עד 100 אלף יחידות.
שלב 3
זמן שמירת הנתונים נקבע לפי משך זמן החיובים המאוחסנים, מה שמצוין בדרך כלל על ידי רוב יצרני המוצרים הביתיים. זה לא עולה על עשר עד עשרים שנה. למרות שהיצרנים נותנים אחריות רק בחמש השנים הראשונות. עם זאת יש לציין כי למכשירי MLC תקופות שמירת נתונים קצרות יותר ממכשירי SLC.
שלב 4
המבנה ההיררכי של זיכרון הפלאש מוסבר על ידי העובדה הבאה. תהליכים כמו כתיבה ומחיקה, כמו גם קריאת מידע מכונן הבזק, מתרחשים בלוקים גדולים בגדלים שונים. לדוגמא, גוש מחיקה גדול מבלוק כתיבה, שבתורו קטן מבלוק קריאה. זהו מאפיין מובהק של זיכרון פלאש מהקלאסי. כתוצאה מכך, לכל מעגלי המיקרו שלה יש מבנה היררכי בולט. הזיכרון מחולק לפיכך לבלוקים, ואלו לסקטורים ולעמודים.
שלב 5
מהירות המחיקה, הקריאה והכתיבה שונה. לדוגמא, מהירות המחיקה יכולה להשתנות בין אחת למאות אלפיות השנייה. זה תלוי בגודל המידע שנמחק. מהירות ההקלטה היא עשרות או מאות מיקרו-שניות. מהירות הקריאה היא בדרך כלל עשרות ננו-שניות.
שלב 6
תכונות השימוש בזיכרון פלאש מוכתבות על ידי התכונות שלו. מותר לייצר ולמכור מיקרו מעגלים עם מספר כלשהו של תאי זיכרון פגומים. כדי להוריד אחוז זה, כל עמוד מספק בלוקים קטנים נוספים.
שלב 7
נקודת התורפה של זיכרון הפלאש היא שמספר מחזורי השכתוב בעמוד אחד מוגבל. המצב מחמיר עוד יותר בגלל העובדה שמערכות קבצים כותבות לרוב לאותו מיקום זיכרון.
